类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：110mA
　　最大漏源电压 (VDS)：60V
　　最大栅源电压 (VGS)：±20V
　　导通电阻 (RDS(on))：5Ω @ VGS = 10V
　　栅极电荷 (Qg)：5nC
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

2N7002 具有以下主要特性：首先，它具有较低的导通电阻，这使得在导通状态下功耗较低，适用于高效率的小功率开关应用。其次，该 MOSFET 提供了良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作。此外，2N7002 的栅极驱动要求较低，可以与标准逻辑电平兼容，便于在数字电路中使用。由于其 TO-92 封装体积小巧，因此非常适合用于空间受限的设计。该器件还具备较高的输入阻抗，减少了对驱动电路的负载影响，提高了整体系统的稳定性。
　　在实际应用中，2N7002 的开关速度较快，适合用于高频切换场合。其额定漏源电压为 60V，使其适用于中低压电源控制。同时，该器件的可靠性较高，能够承受一定的过载和瞬态电压冲击，增强了电路的鲁棒性。

2N7002 主要用于各种电子设备中的开关控制和信号路由。在数字电路中，它可以用作逻辑电平转换器或驱动负载，如 LED 和小型继电器。在电源管理系统中，2N7002 可用于电池供电设备的电源切换，以延长电池寿命。此外，该 MOSFET 常见于模拟开关电路、音频信号路由以及低功率 DC-DC 转换器中。在工业自动化和控制设备中，2N7002 也常用于传感器信号的开关控制和隔离。由于其良好的稳定性和低功耗特性，2N7002 还适用于便携式电子设备和嵌入式系统中的电源管理模块。

2N7000, BSS138, 2N3904