容量：256Kbit（32K x 8）
　　电源电压：2.3V ~ 3.6V
　　访问时间：70ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　封装引脚数：54-pin
　　接口类型：并行异步接口
　　最大工作频率：约14MHz
　　功耗：典型值约100mA（待机模式下低至10μA）
　　封装尺寸：约18.4mm x 10.2mm

LH52B256N70LL SRAM芯片具有多个关键特性，使其适用于高性能和低功耗应用。首先，其70ns的访问时间确保了快速的数据读取和写入性能，能够满足高速系统的需求。其次，该器件支持2.3V至3.6V的宽电压范围，使其在不同的系统设计中具有良好的兼容性。
　　该芯片还具备低功耗特性，在正常工作模式下电流消耗较低，在待机模式下更是可以降至微安级别，非常适合对功耗敏感的应用，如便携式设备和远程传感器节点。LH52B256N70LL 还具有较高的工作温度耐受性（-40°C至+85°C），可在工业级环境中稳定运行。
　　此外，该SRAM芯片采用54引脚TSOP封装，节省空间并便于PCB布局。其并行接口支持标准的地址/数据总线连接方式，简化了与主控芯片（如微处理器或FPGA）的连接。LH52B256N70LL 的高可靠性和广泛的工作条件使其成为工业自动化、通信模块、嵌入式系统和数据缓存应用的理想选择。

LH52B256N70LL 主要应用于需要快速数据存储和访问的电子系统。在工业控制领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）、测量仪器和自动化设备中作为高速缓存或临时数据存储器。在通信设备中，该芯片可用于数据缓冲、协议转换或路由表存储。
　　此外，LH52B256N70LL 也广泛应用于嵌入式系统，如手持终端、智能仪表和工业计算机，作为外部扩展存储器，提升系统的运行效率。由于其低功耗特性，它也适用于电池供电设备，如无线传感器节点、远程监控装置和便携式医疗设备。
　　在消费类电子产品中，该SRAM芯片可用于数码相机、智能穿戴设备或音频播放器中作为数据缓存，提高系统的响应速度。在FPGA或ASIC设计中，LH52B256N70LL 常被用作外部高速存储器，用于临时存储程序代码或运行时数据。

CY62167EVLL-70BTR, IS62WV2568BLL-70BTR, IDT71V416S85BTR, ISSI IS61LV256ALBLL-70BTR