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CGH40045P 发布时间 时间:2025/9/11 6:33:26 查看 阅读:17

CGH40045P是一款由Cree(现为Wolfspeed)生产的高功率射频(RF)横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管,广泛应用于商业和工业射频功率放大器设计中。该器件基于先进的LDMOS技术,具有高效率、高线性度以及高可靠性,特别适合用于无线基础设施、广播系统、测试设备和其他需要高功率射频放大的场景。CGH40045P采用高热导性封装,支持高功率密度和优异的热管理性能,能够在高功率条件下稳定运行。

参数

类型:射频功率LDMOS晶体管
  频率范围:DC至4 GHz
  漏极电流(Id):最大45 A
  漏源电压(Vds):最大65 V
  栅极电压(Vgs):-10 V至+20 V
  输出功率:典型45 W(在2.7 GHz)
  增益:典型22 dB(在2.7 GHz)
  效率:典型65%(在2.7 GHz)
  输入驻波比(VSWR):典型2:1
  封装类型:高导热性表面贴装封装(SMD)

特性

CGH40045P具有多项突出特性,首先是其宽频率覆盖能力,适用于从直流到4 GHz的射频应用,使其在多频段通信系统中具备良好的适应性。其次,该器件在2.7 GHz典型工作频率下可提供高达45 W的输出功率,并具有高达22 dB的增益和65%以上的效率,展现出优异的功率放大性能。
  此外,CGH40045P采用了先进的LDMOS工艺,具备高线性度和良好的失真控制能力,适用于对信号质量要求较高的应用,如基站放大器和测试仪器。其高热导性封装设计有助于提升热稳定性,确保在高功率操作下的可靠性和长寿命。

应用

CGH40045P广泛应用于多个高性能射频功率放大系统,包括无线通信基础设施(如蜂窝基站)、工业射频加热设备、医疗射频治疗设备、广播发射系统以及射频测试与测量设备。其优异的功率放大性能和稳定性使其成为多频段、高线性度要求的通信系统中的理想选择。

替代型号

CGH40025P, CGH40010P, NXP的BLF881A, STMicroelectronics的STAC11FL

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CGH40045P参数

  • 现有数量69现货
  • 价格1 : ¥1,586.32000托盘
  • 系列GaN
  • 包装托盘
  • 产品状态不适用于新设计
  • 技术HEMT
  • 配置-
  • 频率4GHz
  • 增益14dB
  • 电压 - 测试28 V
  • 额定电流(安培)-
  • 噪声系数-
  • 电流 - 测试400 mA
  • 功率 - 输出45W
  • 电压 - 额定84 V
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳440206
  • 供应商器件封装440206