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HY27UF082G2B-TPCB 发布时间 时间:2025/9/2 11:53:16 查看 阅读:12

HY27UF082G2B-TPCB是一款由Hynix(现为SK Hynix)制造的NAND闪存芯片,广泛用于嵌入式系统和存储设备中。该芯片具有2Gbit的存储容量,采用8位并行接口,适用于需要高可靠性和大容量存储的应用场景。

参数

容量:2Gbit
  接口类型:8位并行NAND接口
  工作电压:2.7V至3.6V
  封装类型:TSOP
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  读取时间:最大70ns
  编程时间:典型1ms
  擦除时间:典型20ms

特性

HY27UF082G2B-TPCB采用NAND闪存技术,具有较高的存储密度和较长的使用寿命。该芯片支持页编程和块擦除操作,适用于需要频繁写入和擦除的应用场景。
  其8位并行接口设计使得数据传输速率较高,能够满足嵌入式系统对快速存储的需求。此外,该芯片支持错误校正码(ECC)功能,能够检测和纠正数据错误,提高数据存储的可靠性。
  该芯片的封装形式为TSOP,体积小巧,便于在各种嵌入式设备中使用。其工业级温度范围使得该芯片能够在恶劣的环境条件下稳定工作,适用于工业控制、通信设备和消费电子产品等多种应用场景。
  HY27UF082G2B-TPCB还具备低功耗特性,能够在待机模式下显著降低功耗,延长设备的电池寿命。

应用

HY27UF082G2B-TPCB主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、手持设备、数字家电以及消费类电子产品等需要大容量存储和高可靠性的领域。

替代型号

K9F2808U0C-PCB0, TC58NVG2S0FTG00, MT29F2G08AAA-120

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