时间：2025/9/2 11:53:16
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HY27UF082G2B-TPCB是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的NAND闪存芯片，广泛用于嵌入式系统和存储设备中。该芯片具有2Gbit的存储容量，采用8位并行接口，适用于需要高可靠性和大容量存储的应用场景。
容量：2Gbit
接口类型：8位并行NAND接口
工作电压：2.7V至3.6V
封装类型：TSOP
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
读取时间：最大70ns
编程时间：典型1ms
擦除时间：典型20ms
HY27UF082G2B-TPCB采用NAND闪存技术，具有较高的存储密度和较长的使用寿命。该芯片支持页编程和块擦除操作，适用于需要频繁写入和擦除的应用场景。
其8位并行接口设计使得数据传输速率较高，能够满足嵌入式系统对快速存储的需求。此外，该芯片支持错误校正码（ECC）功能，能够检测和纠正数据错误，提高数据存储的可靠性。
该芯片的封装形式为TSOP，体积小巧，便于在各种嵌入式设备中使用。其工业级温度范围使得该芯片能够在恶劣的环境条件下稳定工作，适用于工业控制、通信设备和消费电子产品等多种应用场景。
HY27UF082G2B-TPCB还具备低功耗特性，能够在待机模式下显著降低功耗，延长设备的电池寿命。
HY27UF082G2B-TPCB主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、手持设备、数字家电以及消费类电子产品等需要大容量存储和高可靠性的领域。
K9F2808U0C-PCB0, TC58NVG2S0FTG00, MT29F2G08AAA-120
