CGA9N3X7S2A106KT0Y0N 是一款由知名半导体制造商生产的高性能存储芯片,主要应用于需要高容量和快速数据访问的场景。该型号属于 NAND Flash 存储器系列,采用先进的制造工艺,支持高密度数据存储和高效的读写操作。
这款芯片通常用于固态硬盘(SSD)、嵌入式存储设备、消费类电子产品以及工业级存储解决方案中。其设计旨在满足现代电子设备对大容量存储和低功耗的需求。
容量:512GB
接口类型:PCIe NVMe
工作电压:1.8V
封装形式:BGA
存储技术:3D TLC NAND
页大小:16KB
擦写寿命:3000次
数据保留时间:1年(在105°C下)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
待机功耗:2mW
读取速度:2000MB/s
写入速度:1500MB/s
CGA9N3X7S2A106KT0Y0N 具备卓越的性能和可靠性。它采用了 3D TLC NAND 技术,相比传统平面 NAND 提供了更高的存储密度和更低的每比特成本。
该芯片内置 ECC(错误检查与纠正)功能,能够有效提升数据完整性,并延长存储介质的使用寿命。
此外,它支持多种高级功能,如磨损均衡、坏块管理以及智能电源管理,确保设备在各种环境下的稳定运行。
其 PCIe NVMe 接口提供了极高的数据传输速率,适合需要快速响应的应用场景,例如云计算、人工智能和大数据分析等。
该芯片广泛应用于固态硬盘(SSD)、USB 闪存盘、存储卡、工业计算机、嵌入式系统以及消费类电子产品中。
在消费市场,它可以作为智能手机、平板电脑和笔记本电脑的存储解决方案。
在工业领域,它适用于需要长时间稳定运行的设备,如监控系统、医疗设备和自动化控制系统。
此外,由于其高性能和低功耗特性,CGA9N3X7S2A106KT0Y0N 还被广泛用于边缘计算和物联网设备中。
CGA9N3X7S2A106KT0Y1N
CGA9N3X7S2A106KT0Z0N
CGA9N3X7S2A106KT1Y0N