M58LW064D110N6 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的闪存存储器芯片,属于NOR Flash类别。该芯片具有64Mbit的存储容量,工作电压为3V至3.6V,适用于需要非易失性存储器的应用场景。M58LW064D110N6 采用高性能的访问时间(110ns),适合用于嵌入式系统、工业控制设备以及其他需要快速数据访问的场合。
容量:64Mbit
电压范围:3V - 3.6V
访问时间:110ns
封装类型:TSOP
接口类型:并行
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
功耗:低功耗设计
数据保持时间:超过10年
擦写次数:超过10万次
M58LW064D110N6 的主要特性之一是其高性能的访问时间,仅为110ns,这使得它能够满足对数据读取速度有较高要求的系统需求。芯片支持并行接口,方便与各种微控制器和处理器直接连接。此外,其工作电压范围为3V至3.6V,确保了在不同供电条件下的稳定运行。
该芯片采用低功耗设计,在待机模式下功耗极低,非常适合对能耗敏感的应用。M58LW064D110N6 支持超过10万次的擦写周期,数据保持时间超过10年,保证了长期使用的可靠性。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于恶劣的工业环境。
从封装角度来看,M58LW064D110N6 采用TSOP(薄型小外形封装)形式,体积小巧,便于在空间受限的设备中使用。同时,它支持多种编程和擦除操作,包括块擦除和字节编程,提供灵活的数据管理能力。
M58LW064D110N6 主要应用于嵌入式系统中,例如智能家电、工业自动化设备、通信设备以及汽车电子系统。其快速访问时间和低功耗特性,使其非常适合用于存储启动代码、固件和关键数据。在工业控制系统中,该芯片可用于存储配置参数和校准数据,确保系统在断电后仍能保持设置。
由于其宽温度范围和高可靠性,M58LW064D110N6 也广泛用于户外设备和车载系统中,例如GPS导航设备、远程监控终端等。此外,该芯片还可以用于医疗设备、测试仪器以及消费类电子产品,如智能手表和穿戴式设备。
对于需要长时间稳定运行的应用,M58LW064D110N6 的高耐久性和数据保持能力使其成为理想的选择。同时,其并行接口设计也简化了硬件连接,降低了系统设计的复杂性。
M58LV640T1B4BN6, M29W640G70N6, S29GL064S11TFIV30