类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：100mA
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：3.5Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSSOP
　　安装类型：表面贴装

RS3J-TR MOSFET 具有多个关键特性，使其在各种应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高了整体效率并减少了热量产生。其次，该器件支持高达 30V 的漏极-源极电压，使其适用于多种低压和中压功率应用。
　　该 MOSFET 的封装形式为 TSSOP，是一种小型表面贴装封装，有助于节省 PCB 空间，适用于高密度电路设计。此外，RS3J-TR 的栅极驱动电压范围较宽，可达 ±20V，这使其能够兼容多种控制电路和驱动器，提升了设计灵活性。
　　该器件的额定漏极电流为 100mA，适用于低电流负载切换和信号控制应用。RS3J-TR 的工作温度范围宽，从 -55°C 到 150°C，可在极端环境条件下稳定工作，适用于工业级和汽车电子系统。
　　ROHM 公司在设计该器件时考虑了高可靠性和长期稳定性，RS3J-TR 具有良好的热稳定性和抗静电能力，能够在各种工作条件下保持稳定的性能。

RS3J-TR MOSFET 被广泛应用于多个领域，包括但不限于便携式电子产品、电池管理系统、传感器接口电路、小型电机控制以及负载开关设计。由于其小型封装和低功耗特性，特别适用于对空间和能效有严格要求的移动设备和嵌入式系统。
　　在电源管理应用中，RS3J-TR 可作为负载开关或电源路径控制器，用于控制不同电源之间的切换，例如在电池与外部电源之间切换。在工业控制系统中，它可用于控制小型执行器、继电器或 LED 显示模块。
　　该 MOSFET 还可用于保护电路，如过流保护或反向电压保护，以防止系统因异常情况而损坏。在汽车电子中，RS3J-TR 可用于车载传感器、控制单元和低功耗照明系统。

2N7002, BSS138, FDV301N, Si2302DS