时间：2025/9/10 14:25:08
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NSP221M2.5D4ATRF 是一款由 Nexperia（安世半导体）制造的双极性晶体管（BJT），属于高频 NPN 晶体管系列。该晶体管专为高频放大和开关应用设计，适用于射频（RF）和高速数字电路中的信号处理。NSP221M2.5D4ATRF 采用 SOT416 封装，具有低噪声、高增益和快速开关特性，广泛用于无线通信设备、射频前端模块、电源管理电路以及各种便携式电子产品中。
晶体管类型：NPN 双极性晶体管
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：25 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
最大功耗（Ptot）：300 mW
电流增益（hFE）：110 - 800（根据等级）
截止频率（fT）：100 MHz
封装类型：SOT416（SC-74）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
NSP221M2.5D4ATRF 晶体管具有多项优异特性，使其在高频和低噪声应用中表现出色。
首先，该晶体管的高截止频率（fT）达到 100 MHz，使其适用于高频放大器和射频信号处理电路。其 NPN 结构提供良好的线性度和增益稳定性，适用于需要高保真信号放大的场合。
其次，NSP221M2.5D4ATRF 的电流增益（hFE）范围广泛，从 110 到 800 不等，分为多个等级，用户可以根据具体应用需求选择合适的增益等级，提高电路的灵活性和性能。
此外，该器件采用 SOT416 小型封装，节省 PCB 空间，适合高密度电路设计。其低功耗特性（最大功耗为 300 mW）和宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C）使其适用于各类环境条件下的电子设备，包括便携式电子产品和工业控制系统。
NSP221M2.5D4ATRF 主要用于射频和高速电子系统中的信号放大与开关控制。
在射频应用中，该晶体管常用于前置放大器、中频放大器和射频接收前端，提供低噪声和高增益的信号放大功能，适用于无线通信、Wi-Fi 模块和蓝牙设备等。
在数字电路中，NSP221M2.5D4ATRF 可用于高速开关电路、电平转换电路和缓冲电路，其快速响应和低饱和压降特性有助于提高系统的响应速度和能效。
此外，该晶体管也广泛应用于电源管理电路、音频放大器、传感器接口电路以及各种嵌入式系统中，提供稳定可靠的信号处理和功率控制能力。
BC847系列、2N3904、MMBT3904、2N2222A
