时间：2025/6/3 19:41:37
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CGA6N4NP02W223J230AA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。该芯片采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统的效率和稳定性。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，其设计优化了动态性能和静态性能之间的平衡，使其适用于多种高频开关应用场景。
型号：CGA6N4NP02W223J230AA
类型：N沟道 MOSFET
工作电压：650V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：2.2mΩ
栅极电荷：95nC
输入电容：2000pF
最大功耗：250W
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CGA6N4NP02W223J230AA 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境，减少开关损耗。
3. 优秀的热性能设计，确保在高功率密度下的稳定运行。
4. 强大的抗雪崩能力，提高了器件在异常条件下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 紧凑的封装设计，便于集成到空间受限的应用中。
7. 支持宽范围的工作温度，适应恶劣环境下的使用需求。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 太阳能逆变器
5. 电动车充电设备
6. 工业自动化设备
7. LED 驱动电源
8. 高频功率转换模块
CGA6N4NP02W223J230AB, CGA6N4NP02W223J230AC
