CGA6N4NP02W223J230AA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统的效率和稳定性。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,其设计优化了动态性能和静态性能之间的平衡,使其适用于多种高频开关应用场景。
型号:CGA6N4NP02W223J230AA
类型:N沟道 MOSFET
工作电压:650V
连续漏极电流:18A
导通电阻(典型值):2.2mΩ
栅极电荷:95nC
输入电容:2000pF
最大功耗:250W
封装形式:TO-247-3
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
CGA6N4NP02W223J230AA 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用环境,减少开关损耗。
3. 优秀的热性能设计,确保在高功率密度下的稳定运行。
4. 强大的抗雪崩能力,提高了器件在异常条件下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
6. 紧凑的封装设计,便于集成到空间受限的应用中。
7. 支持宽范围的工作温度,适应恶劣环境下的使用需求。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 太阳能逆变器
5. 电动车充电设备
6. 工业自动化设备
7. LED 驱动电源
8. 高频功率转换模块
CGA6N4NP02W223J230AB, CGA6N4NP02W223J230AC