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CGA3E2NP02A100D080AA 发布时间 时间:2025/7/8 18:01:27 查看 阅读:9

CGA3E2NP02A100D080AA 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用了先进的半导体工艺制造,具备低导通电阻和高效率的特点,适合于需要高效能功率转换的应用场景。
  该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,具有较快的开关速度和较低的功耗,是现代电子设备中常见的功率元件之一。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:54A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:77nC
  开关时间:开启延迟时间 38ns,关断下降时间 21ns
  结温范围:-55℃ 至 175℃

特性

CGA3E2NP02A100D080AA 的主要特性包括低导通电阻,能够有效减少功率损耗并提高系统效率;同时其快速的开关性能使其非常适合高频应用环境。此外,该器件还具备出色的热稳定性和可靠性,在极端温度条件下仍能保持良好的性能表现。
  该 MOSFET 具备以下特点:
  - 极低的 Rds(on),降低传导损耗。
  - 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性。
  - 符合 RoHS 标准,环保无铅封装。
  - 良好的动态性能,适用于多种复杂负载条件。
  - 紧凑的封装设计,便于 PCB 布局和散热管理。

应用

该型号的典型应用场景包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
  4. 工业自动化设备中的电源管理和信号调节。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品中的功率处理单元。
  其高性能和稳定性使得 CGA3E2NP02A100D080AA 成为许多高要求应用的理想选择。

替代型号

CGA3E2NP02A100D080AB, CGA3E2NP02A100D080AC

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CGA3E2NP02A100D080AA参数

  • 现有数量34,632现货
  • 价格1 : ¥1.59000剪切带(CT)4,000 : ¥0.28906卷带(TR)
  • 系列CGA
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容10 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性高温
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.035"(0.90mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-