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ZXMP3A16GTA 发布时间 时间:2025/5/12 20:04:46 查看 阅读:4

ZXMP3A16GTA 是一款高密度、低功耗的 NAND 闪存芯片,主要用于消费类电子设备中的数据存储。该芯片采用先进的制程工艺,在保证高性能的同时降低了功耗,适用于移动设备、固态硬盘(SSD)以及其他需要大容量存储的应用场景。
  该型号属于 ZXMP 系列,提供高达 16GB 的存储容量,并支持多级单元(MLC)技术,以实现更高的存储效率和可靠性。

参数

容量:16GB
  接口类型:Toggle DDR 2.0
  工作电压:1.8V
  页大小:8KB
  块大小:512KB
  数据传输速率:最高400MB/s
  擦写寿命:3000次(典型值)
  工作温度:-25°C 至 +85°C
  封装形式:TSOP

特性

ZXMP3A16GTA 具备以下特点:
  1. 高性能:支持 Toggle DDR 2.0 接口,提供高达 400MB/s 的数据传输速率,适合需要快速读写的应用场景。
  2. 大容量:单芯片容量达到 16GB,可满足多种存储需求。
  3. 节能设计:采用先进的制程技术,显著降低功耗,延长设备续航时间。
  4. 可靠性:具备 ECC(错误校正码)功能,能够有效检测并修复数据错误,提高数据完整性。
  5. 广泛的工作温度范围:支持从 -25°C 到 +85°C 的工作温度,适应各种环境条件。

应用

ZXMP3A16GTA 主要应用于以下领域:
  1. 智能手机和平板电脑等移动设备的数据存储。
  2. 固态硬盘(SSD),用于计算机和其他嵌入式系统。
  3. 数码相机、摄像机和多媒体播放器等消费类电子产品。
  4. 工业控制设备和医疗仪器中的数据记录与存储。
  5. 物联网(IoT)设备中的数据缓存与持久化存储。

替代型号

ZXMP3A8GTA, ZXMP3A32GTA

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ZXMP3A16GTA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 4.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs29.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1022pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMP3A16GTR