时间：2025/6/16 16:07:11
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CGA3E2NP01H080D080AA是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能功率控制的应用场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：80A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：65nC
开关速度：超高速
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃至175℃
CGA3E2NP01H080D080AA具有出色的电气性能和热性能。其低导通电阻设计可以有效减少功率损耗，提高整体效率。
同时，该芯片支持高频率操作，适用于对响应速度要求较高的应用环境。此外，其坚固耐用的结构设计确保了在极端温度条件下的稳定运行，适应各种严苛的工作场景。
为了满足不同客户的需求，该器件还提供了多种保护功能选项，如过流保护、过温保护等，进一步增强了系统的可靠性和安全性。
该型号广泛应用于工业自动化设备中的电机驱动电路、通信设备中的电源模块、新能源汽车的电池管理系统以及消费电子产品的快速充电适配器等领域。
其卓越的性能使其成为高功率密度设计的理想选择，特别是在需要高效能和高可靠性的应用场景中表现出色。
CGA3E2NP01H080D080AB, CGA3E2NP01H100D100AA
