时间：2025/5/30 18:19:21
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CGA3E2C0G2A3R3C080AA 是一款由知名制造商推出的高效能功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、开关电路以及工业驱动领域。该芯片基于先进的半导体工艺制造，具有较低的导通电阻和出色的开关性能，能够在高电流和高频应用中提供卓越的效率和可靠性。
其封装形式为行业标准的表面贴装封装，适合自动化生产和高密度设计需求。此外，该器件还具备良好的热特性和静电防护能力，使其成为许多高性能系统设计的理想选择。
型号：CGA3E2C0G2A3R3C080AA
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：140A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
总功耗(Ptot)：250W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3
CGA3E2C0G2A3R3C080AA 的主要特性包括低导通电阻（仅 1.5mΩ），能够显著降低功率损耗并提高系统效率。同时，该器件支持高达 140A 的连续漏极电流，适用于大电流应用场景。
此外，它还具备快速开关能力和较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗并在高频条件下保持高效运行。在热管理方面，该芯片通过优化的封装设计实现了高效的散热性能，从而增强了整体的可靠性和稳定性。
由于其宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），CGA3E2C0G2A3R3C080AA 可以适应各种严苛环境下的应用需求。并且，其内置的 ESD 防护功能进一步提高了产品的抗干扰能力。
这款功率 MOSFET 主要用于需要高效率和大电流处理能力的应用场景，例如工业电机驱动、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电动汽车牵引逆变器以及其他高性能开关电源解决方案。
在这些应用中，CGA3E2C0G2A3R3C080AA 的低导通电阻和快速开关特性可以帮助实现更小的体积设计和更高的能量转换效率，同时其强大的电流承载能力和宽温工作范围也确保了系统的长期稳定运行。
CGA3E2C0G2A3R3C090AA
IRFP2907
FDP177N06L
