时间：2025/5/21 10:25:43
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GA1210A181KBAAT31G 是一款高性能的射频功率晶体管，主要用于无线通信领域中的射频功率放大器。该器件采用了先进的半导体工艺技术制造，能够提供高效率和高线性度的输出性能。其出色的增益和低失真特性使其成为基站、中继站以及其他射频应用的理想选择。
该型号的设计目标是满足现代通信系统对高频率和大功率输出的需求，同时保持较低的热耗散以提升可靠性。
类型：射频功率晶体管
封装形式：陶瓷密封
工作频率范围：800 MHz - 2500 MHz
最大输出功率：40 W
增益：12 dB
电源电压：28 V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
插入损耗：≤ 2.5 dB
驻波比（VSWR）：≤ 2.0
封装尺寸：36 mm x 36 mm
GA1210A181KBAAT31G 提供了卓越的射频性能，主要体现在以下几个方面：
1. 高效率：在高频段下表现出色，适合于要求高能效的应用环境。
2. 高线性度：能够在较宽的工作范围内维持较低的互调失真，确保信号质量。
3. 稳定性：即使在极端条件下也能保持良好的电气性能和机械结构稳定性。
4. 耐用性：采用陶瓷封装设计，增强了产品的耐腐蚀性和散热能力。
5. 易于集成：与现有射频架构兼容，简化了系统设计过程。
该器件适用于多种无线通信场景，包括但不限于：
1. 基站发射机中的功率放大器模块。
2. 移动通信网络中的中继设备。
3. 军事及民用雷达系统的射频组件。
4. 卫星通信地面站的上变频链路。
5. 工业、科学和医疗领域的专用射频设备。
6. 测试测量仪器中的信号源部分。
GA1210A182KBAAT31G, GA1210A183KBAAT31G
