时间：2025/5/8 20:07:19
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IPD50N04S3-08是一款N沟道MOSFET功率晶体管，专为高效率、低损耗的开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电源管理和电机驱动场景。
该型号属于Infineon Technologies（英飞凌科技）旗下的产品系列，广泛应用于工业、汽车和消费电子领域。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：3.6mΩ
栅极电荷：72nC
输入电容：2120pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
IPD50N04S3-08具有以下显著特点：
1. 超低导通电阻（Rds(on)），能够有效减少功率损耗，提高系统效率。
2. 高额定电流能力，适合大功率应用。
3. 优化的开关性能，降低了开关损耗并提升了整体能效。
4. 极高的热稳定性，能够在宽温度范围内保持可靠运行。
5. 小型化封装设计，便于PCB布局和散热管理。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子设备要求。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。
2. 电机控制和驱动电路。
3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
4. 汽车电子系统，例如电动助力转向（EPS）和电池管理系统（BMS）。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 各种需要高效功率切换的应用场景。
IPW50N04S3-08, IRFH5004TRPBF, FDP5020N
