时间：2025/6/29 6:41:07
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CGA2B2NP01H820J050BA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率和低功耗的应用场景设计。该芯片采用先进的制造工艺，具备出色的导通电阻和开关性能，适用于多种电力电子设备中的功率转换和控制功能。其封装形式紧凑，能够有效降低系统体积并提高散热性能。
型号：CGA2B2NP01H820J050BA
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：45mΩ（典型值，@Vgs=10V）
总功耗(Ptot)：250W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3
CGA2B2NP01H820J050BA 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，最大漏源电压高达 650V，适合高压应用场景。
2. 低导通电阻，典型值为 45mΩ，有助于减少功率损耗。
3. 快速开关性能，可显著提高系统的效率。
4. 支持大电流操作，峰值漏极电流可达 30A。
5. 宽工作温度范围，能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
7. 紧凑型 TO-247-3 封装设计，便于集成和散热管理。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. 电机驱动器中的功率级控制。
3. 太阳能逆变器中的 DC-DC 和 DC-AC 转换。
4. 工业自动化设备中的功率控制。
5. 电动车充电模块中的高效功率转换。
6. UPS 不间断电源系统中的关键功率元件。
CGA2B2NP01H820K050BA
IRF840
FQA19P12E
