时间：2025/5/20 20:51:36
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NTS10120MFST3G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET 场效应晶体管，属于 Nexperia 公司的功率 MOSFET 系列。该器件采用 DPAK 封装形式（SMD 表面贴装），具有低导通电阻和快速开关速度的特性，适用于需要高效率和散热性能的应用场景。
这款 MOSFET 的设计主要针对汽车电子、工业电源转换、负载开关以及 DC-DC 转换器等领域。其出色的电气性能和可靠性使其成为工程师在设计高要求应用时的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：84A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：98nC
总电容：1570pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
NTS10120MFST3G 提供了非常低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统效率。此外，它还具备以下关键特性：
1. 极高的电流承载能力，可以满足大功率应用需求。
2. 快速开关性能，适合高频开关应用。
3. 工作温度范围宽广，能够在极端条件下可靠运行。
4. 符合 AEC-Q101 标准，确保在汽车环境中的长期稳定性。
5. 具备反向恢复电荷低的特点，进一步提升效率。
6. 使用 DPAK 封装，提供良好的散热性能。
NTS10120MFST3G 广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子中的电机驱动和负载控制。
2. 工业设备中的电源管理模块。
3. 高效 DC-DC 转换器及同步整流电路。
4. 大电流负载开关和保护电路。
5. 可再生能源系统中的逆变器和转换器。
6. 各类电池管理系统（BMS）中的开关元件。
NTMFS4C626NL, IRFB4110TRPBF, FDP55N06L
