时间：2025/6/22 9:56:15
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CGA2B2NP01H4R7C050BA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能。其设计旨在满足高电流密度和高频应用的需求，同时确保系统的稳定性和可靠性。
该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET，能够实现高效的功率转换，并具备快速的开关速度和较低的栅极电荷特性。其封装形式通常为行业标准的表面贴装类型，便于自动化生产和散热管理。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：120A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：85nC
输入电容：3000pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CGA2B2NP01H4R7C050BA 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，从而减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高速开关能力，适用于高频电路设计。
3. 出色的热稳定性，支持高功率密度的应用。
4. 强化的 ESD 保护设计，提升器件的抗干扰能力。
5. 小尺寸封装，节省 PCB 空间。
6. 广泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
7. 符合 RoHS 标准，环保友好。
这款功率 MOSFET 可用于以下典型应用：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流管。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 工业设备中的负载切换和保护。
5. 新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中的功率控制。
6. 通信电源和不间断电源 (UPS) 系统。
CGA2B2NP01H4R7C050BB, IRF2807Z, FDP18N65C7
