CGA2B2C0G1H221JT0Y0F 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够显著提升系统的效率和可靠性。
其封装形式为 TO-263,适合表面贴装技术(SMT),便于大规模自动化生产。此外,该芯片还具备良好的短路耐受能力和静电防护特性,确保在复杂环境下的稳定运行。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:45A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:75nC
开关速度:25ns
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
封装形式:TO-263
CGA2B2C0G1H221JT0Y0F 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(1.2mΩ),可以有效降低功率损耗,提高系统效率。
2. 快速的开关速度(25ns),适用于高频应用场合,减少开关损耗。
3. 高额定电流能力(45A),满足大功率负载需求。
4. 先进的热设计,具备出色的散热性能,延长器件使用寿命。
5. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,增强系统安全性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
这款功率 MOSFET 主要应用于以下几个领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统,例如电动助力转向(EPS)和刹车系统。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 太阳能逆变器和储能系统中的功率管理单元。
6. 各类 DC-DC 转换器,用于电压调节和电流控制。
IRFZ44N
FDP18N06L
STP45NF06L