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CGA2B2C0G1H221JT0Y0F 发布时间 时间:2025/6/3 21:39:12 查看 阅读:3

CGA2B2C0G1H221JT0Y0F 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  其封装形式为 TO-263,适合表面贴装技术(SMT),便于大规模自动化生产。此外,该芯片还具备良好的短路耐受能力和静电防护特性,确保在复杂环境下的稳定运行。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关速度:25ns
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:TO-263

特性

CGA2B2C0G1H221JT0Y0F 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(1.2mΩ),可以有效降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速的开关速度(25ns),适用于高频应用场合,减少开关损耗。
  3. 高额定电流能力(45A),满足大功率负载需求。
  4. 先进的热设计,具备出色的散热性能,延长器件使用寿命。
  5. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,增强系统安全性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

这款功率 MOSFET 主要应用于以下几个领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统,例如电动助力转向(EPS)和刹车系统。
  4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  5. 太阳能逆变器和储能系统中的功率管理单元。
  6. 各类 DC-DC 转换器,用于电压调节和电流控制。

替代型号

IRFZ44N
  FDP18N06L
  STP45NF06L

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