您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IS45S16160G-6TLA1

IS45S16160G-6TLA1 发布时间 时间:2025/7/24 18:40:51 查看 阅读:4

IS45S16160G-6TLA1 是一款由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)制造的高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该SRAM的容量为256K x 16位,适用于需要高速数据访问和低延迟的嵌入式系统应用。这款芯片采用CMOS工艺制造,具有低功耗特性,适合于工业级温度范围,因此广泛应用于通信设备、工业控制、汽车电子和高端消费电子产品等领域。

参数

容量:256K x 16位
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  访问时间:5.4 ns(最大)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:54引脚 TSOP
  封装尺寸:54-TSOP
  数据宽度:16位
  封装材料:塑料
  存储器类型:异步SRAM
  接口类型:并行

特性

IS45S16160G-6TLA1 的主要特性包括高速访问时间(5.4 ns),可在不牺牲性能的情况下实现快速数据存取。该芯片采用先进的CMOS技术,降低了功耗,提高了能效,非常适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。其-40°C至+85°C的工业级温度范围使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行。54引脚TSOP封装形式有助于减少PCB空间占用,同时提供良好的电气性能和热稳定性。
  该SRAM芯片还具备高可靠性和长寿命,支持无限次读写操作,不会出现数据丢失或存储单元损坏的问题。其异步接口设计简化了与微处理器、控制器或其他逻辑电路的连接,降低了系统设计的复杂度。此外,IS45S16160G-6TLA1 提供多种封装选项,以满足不同应用对空间和散热的需求。该芯片还具有良好的抗干扰能力,能够在高噪声环境中保持稳定的数据传输性能。
  在功能安全方面,IS45S16160G-6TLA1 通过了严格的质量测试和认证,确保在关键任务应用中的稳定性和可靠性。它支持多种电源管理模式,包括待机模式和深度掉电模式,从而进一步优化功耗表现。这些特性使得该SRAM芯片成为高性能嵌入式系统、网络设备、存储模块和工业自动化设备的理想选择。

应用

IS45S16160G-6TLA1 SRAM芯片适用于多种高性能嵌入式系统和数据存储应用。典型应用包括路由器、交换机、基站控制器等通信设备中的高速缓存;工业控制系统中的数据缓冲和临时存储;医疗设备中的实时数据处理;汽车电子中的导航系统和高级驾驶辅助系统(ADAS);以及消费类电子产品如打印机、扫描仪和高端游戏设备中的内存扩展模块。
  此外,该芯片也可用于需要快速数据访问的图像处理设备,例如安防摄像头、视频采集卡和嵌入式视觉系统。由于其低延迟特性和高稳定性,IS45S16160G-6TLA1 也常用于实时控制系统的程序存储和执行,确保关键任务的高效运行。

替代型号

IS45S16160G-6BLA1
  IS45S16400G-6TLA1
  CY62167EV30LL-55BZS
  IDT71V1216SA9B4.5Y

IS45S16160G-6TLA1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IS45S16160G-6TLA1参数

  • 制造商ISSI
  • 封装Tray
  • 工厂包装数量240