时间：2025/6/29 6:27:03
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CGA2B2C0G1H090DT0Y0F 是一款由 Rohm 公司生产的高性能、低导通电阻的 N 沟道 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备出色的效率和热性能，能够在高频条件下提供稳定的运行表现。
该芯片具有紧凑的封装设计，能够有效减少 PCB 占用面积，同时通过优化的电气特性降低功耗，非常适合对空间和能效要求较高的应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：25A
导通电阻：1.3mΩ
栅极电荷：28nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263
CGA2B2C0G1H090DT0Y0F 的主要特点是其极低的导通电阻（仅 1.3mΩ），这使得它在高电流应用中表现出色，能够显著降低功率损耗。此外，该器件还具备以下优势：
1. 快速开关能力，可支持高频操作，减少电磁干扰（EMI）。
2. 内置 ESD 保护功能，提高系统的可靠性。
3. 热增强型封装设计，有助于更高效的散热管理。
4. 高耐压能力（30V），适用于多种工业及消费类电子设备。
5. 工作温度范围宽广（-55℃ 至 +175℃），适合恶劣环境下的应用。
这款 MOSFET 芯片广泛用于各种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电动工具、家用电器以及汽车电子中的电机驱动电路。
4. 多路负载开关的应用，例如服务器和通信设备。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制与保护电路。
CGA2B2C0G1H080DT0Y0F
CGA2B2C0G1H100DT0Y0F
IRF3205
FDP5500
