100EL16MX 是一款基于硅技术的高性能功率MOSFET芯片,主要用于高效率电源转换和电机驱动等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够显著降低功耗并提高系统的整体性能。
这款器件通常被封装在TO-220、TO-247等标准封装形式中,便于散热设计与系统集成。其优异的电气特性和可靠性使其广泛应用于工业控制、消费电子以及通信设备中。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(V_DS):100V
连续漏极电流(I_D):16A
导通电阻(R_DS(on)):15mΩ
栅极电荷(Q_g):35nC
总功耗(P_TOT):200W
工作温度范围(T_A):-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-220, TO-247
100EL16MX 的主要特点是低导通电阻和高电流处理能力,这使得它非常适合需要高效能量转换的应用场景。
该芯片具有快速的开关速度,可有效减少开关损耗,并支持高频操作,从而缩小了滤波器和其他无源元件的尺寸。
同时,它具备出色的热稳定性和鲁棒性,在极端环境下仍能保持可靠的性能表现。
此外,该器件还采用了优化的栅极驱动设计,以确保更小的驱动损耗和更高的系统效率。
100EL16MX 广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
- 开关电源(SMPS)中的功率级开关
- DC/DC转换器的核心元件
- 电动工具和家用电器中的电机驱动电路
- 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中的功率调节模块
- 工业自动化设备中的负载切换控制
IRFZ44N
STP16NF06
FDP16N10