时间：2025/8/1 13:12:59
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CS25N50FA9R是一款由Central Semiconductor公司制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高电压和高电流应用，具有出色的导通电阻和开关性能。其封装形式为TO-220，适用于多种电源管理和功率控制应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：0.22Ω @ Vgs = 10V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
最大功耗(Pd)：125W
CS25N50FA9R具有较低的导通电阻，能够在高电压条件下提供高效的功率转换。其优化的栅极设计使得开关损耗降低，从而提高整体效率。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性和可靠性，适用于长时间高负荷运行的应用场景。其TO-220封装提供了良好的散热性能，并且易于安装和使用。
该器件采用了先进的工艺技术，使其在高频开关应用中表现出色。同时，CS25N50FA9R的抗静电能力和过温保护特性增强了其在严苛环境中的稳定性。其快速恢复二极管集成设计也使其在反向电流保护方面表现优异。
CS25N50FA9R广泛应用于电源供应器、DC-DC转换器、逆变器、电机控制器以及工业自动化设备中。其高电压和高电流能力使其成为太阳能逆变器、UPS系统和电池管理系统中的理想选择。此外，该MOSFET也常用于汽车电子系统、LED照明驱动电路以及各种功率开关电路中。
IRF540N, FDPF5N50, STP25NK50Z
