CGA1A2C0G1H180J030BA 是一款由罗姆(ROHM)公司生产的碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块,采用分立式封装设计。该模块适用于高功率密度、高频开关的应用场景,例如工业电机驱动、太阳能逆变器和不间断电源(UPS)等。由于其采用了先进的碳化硅技术,CGA1A2C0G1H180J030BA 具备高效率、低导通电阻以及快速开关速度的特性,可显著降低系统能耗并提升整体性能。
类型:碳化硅MOSFET
额定电压:1200V
额定电流:180A
导通电阻:2.6mΩ(典型值)
栅极电荷:45nC(最大值)
反向恢复时间:40ns(典型值)
工作温度范围:-55℃至175℃
封装形式:分立式模块
CGA1A2C0G1H180J030BA 使用了先进的碳化硅材料技术,相比传统的硅基器件,具有更低的导通损耗和开关损耗,能够支持更高的开关频率。此外,该模块具备强大的散热能力,允许在较高的结温条件下运行,从而提高了系统的可靠性。其优化的内部布局设计降低了寄生电感,进一步提升了高频开关时的稳定性。
该器件还具有出色的抗雪崩能力和短路耐量,使其能够在恶劣的工作环境中保持稳定性能。同时,由于其低导通电阻和快速开关速度的特点,非常适合需要高效能量转换的应用场景。
CGA1A2C0G1H180J030BA 广泛应用于高功率密度和高效率需求的场景中,包括但不限于以下领域:
1. 工业电机驱动:用于变频器和伺服驱动系统,提供高效的功率转换。
2. 太阳能逆变器:实现光伏系统的直流到交流转换,提高发电效率。
3. 不间断电源(UPS):为关键设备提供可靠的备用电源支持。
4. 电动汽车充电站:用于快速充电桩中的功率变换模块,满足大功率充电需求。
5. 风力发电系统:用于风电变流器,优化能量传输效率。
CM1H180BGA