FSQ0265RN是英飞凌(Infineon)推出的一款高性能、高可靠性碳化硅(SiC)MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造,具有低导通电阻和优异的开关性能,适用于高频、高效能的电力电子应用领域。其出色的热性能和耐用性使其成为工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备等高要求应用场景的理想选择。
FSQ0265RN的工作电压为650V,能够承受较高的反向电压,同时提供高效的电流传输能力,确保在复杂电路环境下的稳定运行。
额定电压:650V
额定电流:26A
导通电阻:8.4mΩ
栅极电荷:93nC
最大结温:175℃
封装形式:TO-247-3
FSQ0265RN采用了碳化硅材料,具备比传统硅基MOSFET更高的效率和更小的体积。其主要特性包括:
1. 高效的开关性能,可显著降低开关损耗。
2. 极低的导通电阻,减少传导损耗。
3. 耐高温设计,能够在高达175℃的结温下正常工作。
4. 内置二极管功能,优化了反向恢复性能。
5. 提供优异的短路耐受能力,增强了系统的可靠性和安全性。
6. 紧凑型封装,便于安装和散热管理。
FSQ0265RN因其卓越的性能,被广泛应用于以下领域:
1. 工业电源转换系统,如不间断电源(UPS)和电机驱动器。
2. 太阳能逆变器,用于将直流电高效转换为交流电。
3. 电动汽车充电桩,支持快速充电需求。
4. 开关电源(SMPS),提升电源效率和功率密度。
5. DC-DC转换器,用于分布式能源管理系统。
6. 其他需要高效率、高频率和高可靠性的电力电子设备。
FSQ0206N, FSQ0245RN