时间：2025/12/26 22:38:37
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CG31.0L是一款由Clare公司（现为Microchip Technology旗下品牌）生产的单通道IGBT栅极驱动光电耦合器，广泛应用于需要高隔离电压和高可靠性的功率电子系统中。该器件结合了光耦的电气隔离特性和高性能栅极驱动能力，专为驱动绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和功率MOSFET而设计。CG31.0L采用先进的光刻技术和集成驱动电路，能够在恶劣的电磁环境中稳定工作，提供出色的噪声抑制能力和传输速度。其内部结构包含一个高效率发光二极管（LED）、光敏接收器以及推挽式输出级，能够直接驱动高达2.5A峰值电流的功率开关器件。该器件特别适用于工业电机控制、逆变器、不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）和太阳能逆变器等高功率应用场景。
CG31.0L的一个显著特点是其具备高共模瞬态抗扰度（CMTI），通常可达到±25kV/μs以上，确保在高频开关过程中不会因电压突变引起误触发。此外，它还集成了多种保护功能，例如欠压锁定（UVLO）机制，防止在供电电压不足时输出异常信号导致IGBT误导通。器件封装采用DIP-8或类似宽体SOIC形式，提供至少5000VRMS的输入-输出隔离电压，满足国际安全标准如UL、VDE和CSA的要求。由于其高度集成化设计，使用CG31.0L可以简化外围电路，减少PCB面积，并提高系统的整体可靠性。
类型：单通道栅极驱动光耦
输出驱动电流：2.5A峰值
隔离电压：5000VRMS（1分钟）
共模瞬态抗扰度（CMTI）：±25kV/μs 最小
传播延迟：典型值 500ns
上升时间 / 下降时间：≤ 400ns / ≤ 400ns
工作温度范围：-40°C 至 +110°C
电源电压（VCC）：15V 至 30V
LED正向电流（IF）：10mA 至 25mA
输出结构：图腾柱（推挽式）
封装形式：DIP-8 或 SOIC-8 宽体
爬电距离：≥ 8mm
