CG2145LSNLTE 是一款高性能、低噪声放大器(LNA, Low Noise Amplifier)集成电路,专为无线通信系统中的射频(RF)前端应用而设计。该器件通常用于增强接收到的微弱信号,以提高接收灵敏度,广泛应用于蜂窝通信、Wi-Fi、物联网(IoT)设备以及其他无线基础设施中。CG2145LSNLTE采用先进的硅锗(SiGe)工艺制造,具有优异的噪声系数(NF)、高增益和良好的线性度,适用于多频段和多标准无线系统。
工作频率范围:0.1 GHz - 6 GHz
增益:约15 - 20 dB
噪声系数(NF):< 1 dB
输出IP3:约 +20 dBm
工作电压:3.0V - 5.5V
功耗:典型值 10 mA
封装形式:QFN-16 或类似小型封装
输入/输出阻抗:50Ω
CG2145LSNLTE具备多项高性能特性,适用于现代无线通信系统的低噪声放大需求。其核心特性之一是极低的噪声系数(NF),通常低于1 dB,这使其能够有效放大微弱信号而不引入显著的噪声,从而提升接收机的整体灵敏度。该器件的增益范围在15至20 dB之间,确保信号在进入后续混频器或模数转换器(ADC)前得到充分放大。
此外,CG2145LSNLTE具有良好的线性度,其输出三阶交调点(OIP3)可达+20 dBm,这有助于在存在多个干扰信号的环境中保持信号完整性,避免非线性失真。这种特性尤其适用于多频段和多标准无线系统,如4G LTE、Wi-Fi 6以及IoT设备。
该芯片的工作频率范围覆盖0.1 GHz至6 GHz,支持从蜂窝通信到毫米波前传等多种应用场景。其宽频带特性减少了对多个专用LNA的需求,简化了系统设计并降低了成本。
在电源管理方面,CG2145LSNLTE支持3.0V至5.5V的宽电压输入,典型电流消耗为10 mA,适用于低功耗应用。此外,该器件采用QFN-16等小型封装形式,便于在空间受限的电路板上进行布局,同时具有良好的热稳定性和射频隔离性能。
CG2145LSNLTE主要应用于无线通信系统的射频接收前端,包括但不限于以下场景:蜂窝基站和用户终端(如智能手机、CPE设备)、Wi-Fi接入点和客户端设备、物联网(IoT)模块(如NB-IoT、LoRa)、无线传感器网络、GPS接收器、软件定义无线电(SDR)系统以及测试测量设备等。由于其宽频带特性和低噪声性能,CG2145LSNLTE也非常适合用于多频段、多标准通信设备中,作为通用型低噪声放大器使用。
MAX2640, HMC414, BGA7254, SKY67150, AVM-5C