时间：2025/9/14 12:02:58
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PSMN3R5-25MLDX是一款由Nexperia（安世半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和负载开关等电路中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供低导通电阻和优异的开关性能。其主要特点是低栅极电荷（Qg）、低导通电阻（Rds(on)）以及高雪崩能量承受能力，适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：25V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：70A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：22nC（典型值）
漏极电流峰值（Idm）：280A（脉冲模式）
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8兼容）
PSMN3R5-25MLDX采用了Nexperia先进的Trench沟槽技术，使其具备极低的导通电阻和优异的开关性能。该器件的低栅极电荷（Qg）特性有助于降低高频开关应用中的驱动损耗，从而提高整体效率。此外，其高雪崩能量承受能力确保了在瞬态过压条件下的稳定工作，提高了系统的可靠性。
该MOSFET的封装采用LFPAK56技术，具有优良的热管理和高功率密度，能够在紧凑的空间中实现高效能。其无引脚设计减少了封装电感，提升了高频开关性能。同时，该封装符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环保和可制造性的要求。
PSMN3R5-25MLDX的工作温度范围广泛，从-55°C到+175°C，适用于各种严苛环境下的应用，如汽车电子、工业电源、DC-DC转换器等。
PSMN3R5-25MLDX适用于多种电源管理应用，包括但不限于以下领域：
? 同步整流器中的高边/低边开关
? 负载开关和电源分配系统
? 电池供电设备中的功率开关
? 电机驱动和马达控制电路
? DC-DC降压/升压转换器
? 服务器和通信设备的电源管理模块
? 汽车电子系统中的高电流开关应用
PSMN4R0-25MLDX, PSMN2R8-25MLC, PSMN3R0-25YLX
