CFB70N03是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景中,能够提供高效、稳定的性能表现。其低导通电阻特性有助于降低功耗,同时具备较高的电流承载能力和耐压水平。
型号:CFB70N03
类型:N沟道MOSFET
封装:TO-220
Vds(漏源极电压):30V
Rds(on)(导通电阻,典型值):7mΩ
Id(连续漏极电流):70A
Vgs(栅源极电压):±20V
输入电容:1940pF
总功耗:150W
工作温度范围:-55℃至+150℃
CFB70N03具有低导通电阻(Rds(on)),这使得它在高电流应用中表现出较低的功耗和发热。此外,该器件支持高达70A的持续漏极电流,适用于大功率场合。其耐压能力为30V,可承受瞬时高压冲击。同时,由于采用了TO-220封装,CFB70N03具备良好的散热性能,并且易于安装。
CFB70N03还拥有快速开关速度,能够在高频电路中保持高效率。此外,该器件符合RoHS标准,适合环保要求严格的应用环境。
CFB70N03广泛应用于各种电力电子领域,例如开关电源中的功率转换、电池管理系统中的负载控制、工业设备中的电机驱动以及汽车电子中的电源管理模块等。此外,它还可以用于逆变器、不间断电源(UPS)、LED驱动器以及其他需要大电流和低损耗的场景中。
IRFZ44N
STP70NF06
FDP70N06S