2SK3932-01MR 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET,适用于需要高效率和高可靠性的电源应用。该器件采用小型SOP(小外形封装)封装形式,适合表面贴装,适用于如DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备等应用。这款MOSFET具备低导通电阻和高耐压的特点,可以提供较高的电流处理能力,同时减少功率损耗。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):20V
栅源电压(Vgs):±12V
漏极电流(Id):6A(最大)
导通电阻(Rds(on)):32mΩ(最大,在Vgs=4.5V时)
功率耗散(Pd):2W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:SOP8
2SK3932-01MR MOSFET的主要特性包括低导通电阻、高电流容量和优良的热性能。其低Rds(on)特性有助于降低导通损耗,提高整体电源转换效率。由于采用了SOP8封装,该器件具有良好的散热性能,同时减小了PCB占用空间,适合高密度电路设计。此外,该器件的栅极驱动电压较低,可兼容标准逻辑电平,便于在多种应用中使用。其高可靠性和热稳定性使其适用于严苛环境下的电源系统。该MOSFET还具有快速开关能力,有助于减少开关损耗,提高响应速度。此外,该器件的封装设计符合RoHS环保标准,满足现代电子产品对无铅工艺的要求。
在电气特性方面,2SK3932-01MR在Vgs=4.5V时的典型导通电阻为32mΩ,确保了在中等栅极驱动电压下的高效运行。漏极电流额定值为6A,能够在中高功率应用中提供足够的电流容量。其20V的漏源击穿电压使其适用于低电压功率转换应用,例如12V电源系统。该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于降低高频开关应用中的驱动损耗。
2SK3932-01MR MOSFET广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器、电池供电设备、便携式电子设备和电源管理模块。由于其低导通电阻和高效率,该器件特别适合需要高能效和低发热的应用。在DC-DC转换器中,它可以作为同步整流器或主开关元件,提高转换效率并减小电源模块体积。在负载开关应用中,该MOSFET可用于控制高电流负载,实现快速通断和过流保护功能。此外,该器件也适用于工业自动化设备、消费类电子产品和通信设备中的电源控制电路。
2SK3930-01MR, 2SK3933-01MR, Si2302DS, AO3400A