时间：2025/12/29 13:49:22
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CEU630N是一款常用的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等高功率场景。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适用于各种工业和消费类电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：60V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：30A
导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ（典型值）
功耗(PD)：100W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
CEU630N采用高性能沟槽式MOSFET结构，具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其最大漏源电压为60V，适合中高功率应用。该器件能够承受高达30A的连续漏极电流，具备较强的电流承载能力。
此外，CEU630N的栅极驱动电压范围为±20V，具有良好的栅极抗冲击能力，确保在各种开关条件下稳定运行。其封装设计有助于良好的热管理和散热性能，适用于需要高可靠性的工业控制、电机驱动和电源管理系统。
该MOSFET在高频开关应用中表现出色，具备快速开关特性，可有效减少开关损耗。其高耐压和高电流特性使其成为电池管理系统、电动工具、电动车控制器等应用的理想选择。
CEU630N主要用于各种高功率电子系统中，包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电动车控制器、工业自动化设备、功率开关电路、负载开关、电源管理模块以及高功率LED驱动电路等。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于需要高效率和高可靠性的应用场景。
IRF1405, Si4410DY, FDP6675, IPP075N15N3G
