CEU55N10 时间：2025/7/30 11:59:20 阅读：3

CEU55N10 是一款由 Central Semiconductor 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高效率和高可靠性的特点，适用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及各种高功率电子系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：100 V
　　最大栅源电压 Vgs：±20 V
　　最大连续漏极电流 Id（@25°C）：55 A
　　最大导通电阻 Rds(on)：12.5 mΩ（@Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：170 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

CEU55N10 MOSFET 的核心特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 的条件下仅为 12.5 mΩ，这使得该器件在高电流工作状态下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。
　　该器件采用了先进的沟槽技术，优化了导通和开关性能，能够在高频开关应用中表现出色。其高耐压能力（Vds=100V）使其适用于各种中高功率的 DC-DC 转换器、同步整流器和电机控制电路。
　　CEU55N10 的封装形式为 TO-252（DPAK），具有良好的热管理和散热性能。这种封装方式适合表面贴装工艺，便于 PCB 布局和自动化生产。
　　此外，该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，能够在极端工作条件下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和寿命。

应用

CEU55N10 广泛应用于多种电源管理和功率电子系统中。最常见的用途包括同步整流器、降压/升压转换器（Buck/Boost Converters）、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及负载开关控制。
　　在 DC-DC 转换器中，CEU55N10 作为主开关或同步整流开关使用，能够显著降低导通损耗，提高转换效率，特别是在高电流和高频工作条件下表现优异。
　　在电机控制和驱动电路中，该器件可用于 H 桥结构中的上下桥臂，提供高效的开关性能和良好的热稳定性，确保电机运行平稳。
　　另外，CEU55N10 也适用于各种工业自动化设备、电源适配器、服务器电源系统以及新能源应用，如太阳能逆变器和储能系统中的功率开关。