型号：CEU13N07
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压VDS：70V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25℃）：13A
　　脉冲漏极电流IDM：52A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：45mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：60mΩ
　　阈值电压Vth：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容Ciss：1200pF（@VDS=25V）
　　输出电容Coss：350pF（@VDS=25V）
　　反向传输电容Crss：80pF（@VDS=25V）
　　二极管正向电流IF：13A
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围Tstg：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

CEU13N07采用先进的沟槽型场效应晶体管工艺，具备优异的电学性能和热稳定性。其低导通电阻特性显著降低了在大电流工作条件下的导通损耗，有助于提升电源系统的整体转换效率。例如，在同步整流或Buck变换器应用中，低RDS(on)意味着更少的能量以热量形式耗散，从而减少对散热设计的依赖，有利于实现小型化和轻量化设计。器件在VGS=10V时RDS(on)典型值仅为45mΩ，在VGS=4.5V条件下仍能保持较低的导通电阻，这使其兼容3.3V或5V逻辑电平驱动电路，适用于由控制器或PWM IC直接驱动的场合。
　　该MOSFET具有快速的开关响应能力，得益于其较低的栅极电荷（Qg）和优化的电容匹配，能够支持高频开关操作，适用于现代高频率DC-DC转换器和开关电源拓扑。输入电容Ciss约为1200pF，输出电容Coss为350pF，反向传输电容Crss仅80pF，这些参数有助于减小驱动功耗并降低开关过程中的电压尖峰和振铃现象，提高系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　CEU13N07具备良好的热性能，TO-252封装提供了有效的散热路径，结合芯片本身的高热稳定性设计，可在结温高达+150℃的环境下持续运行。同时，器件具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击而不发生损坏，提升了系统在异常工况下的安全性。此外，其内置体二极管具有较低的反向恢复时间，减少了反向恢复损耗，特别适合用于续流或反激式电源拓扑。
　　该器件还通过了严格的可靠性测试，符合RoHS环保要求，并具备良好的抗静电（ESD）能力，适合在工业控制、汽车电子外围电路及消费类电源中广泛应用。其稳定的批次一致性与国产供应链保障，使其在成本敏感且注重供货安全的项目中具有明显优势。

CEU13N07广泛应用于多种中低压功率转换和控制场景。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、手机充电器、LED驱动电源等，作为主开关管或同步整流管使用，发挥其低导通电阻和高效率的优势。在DC-DC降压（Buck）或升压（Boost）转换器中，该器件可用于高侧或低侧开关，配合PWM控制器实现稳定的电压调节，适用于通信设备、嵌入式系统和便携式电子产品的电源管理单元。
　　在电机驱动领域，CEU13N07可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为功率开关元件控制电流方向和通断，因其具备较高的电流承载能力和快速响应特性，能够有效提升驱动效率并降低发热。此外，在电池管理系统（BMS）、逆变器和UPS不间断电源中，该MOSFET可用于充放电控制、负载切换或保护电路，确保系统在不同工作模式下的安全切换。
　　由于其良好的热性能和可靠性，CEU13N07也适用于工业自动化设备、智能家电（如变频空调、洗衣机）、电动工具等需要高效功率控制的场合。在太阳能微型逆变器或储能系统的小功率模块中，也可作为关键开关元件使用。得益于其TO-252封装易于焊接和散热设计，适合波峰焊和回流焊工艺，便于大规模生产组装。总体而言，该器件凭借其综合性能优势，已成为众多中低端功率应用中的主流选择之一。

AP1307GP-HF
　　SI1307DH-T1-E3
　　AON1307