时间：2025/5/23 2:55:19
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FN31X682K500PXG是一款高性能的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频条件下提供高效的功率转换。
型号：FN31X682K500PXG
类型：N沟道MOSFET
工作电压：50V
最大电流：-140A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：29nC
漏源击穿电压：50V
功耗：75W
封装形式：TO-247
FN31X682K500PXG采用先进的半导体制造工艺，具备以下特点：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用环境。
3. 优异的热稳定性，确保在极端温度条件下的可靠运行。
4. 紧凑的封装设计，便于集成到各种电子系统中。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
这款MOSFET适用于多种场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的高效能量转换组件。
IRF7846, FDP5500
