时间：2025/6/12 19:09:58
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TSM7N65CI 是一款由台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-220 封装形式，具有高击穿电压和低导通电阻的特点，适用于开关电源、电机驱动、逆变器等高频开关应用。其最大漏源极电压为 650V，能够承受较高的瞬态电压冲击，同时具备较低的导通损耗以提高系统效率。
TSM7N65CI 的典型应用场景包括但不限于 DC-DC 转换器、太阳能逆变器、LED 驱动器以及工业控制领域。此外，它还具有快速开关速度和良好的热稳定性，使其成为需要高效能和高可靠性的电子设备的理想选择。
最大漏源极电压：650V
最大栅源极电压：±20V
连续漏极电流：7A
导通电阻：1.3Ω（典型值，@Vgs=10V）
总功耗：140W
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
TSM7N65CI 的主要特性包括高耐压能力，能够在高达 650V 的电压下稳定运行，确保在高压环境下的可靠性。
其次，其低导通电阻设计减少了功率损耗，从而提高了整体系统效率。
另外，该器件的快速开关性能有助于降低开关损耗，并且具备优秀的抗雪崩能力，可以有效防止因瞬态过压而导致的损坏。
最后，TSM7N65CI 还具有良好的热性能，通过优化的封装设计提升了散热效率，从而延长了器件的使用寿命。
TSM7N65CI 广泛应用于多种电力电子设备中，例如开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动工具驱动以及家用电器中的电机控制。
由于其出色的性能指标，该 MOSFET 在工业自动化、消费类电子产品和汽车电子等领域也有着广泛的应用前景。
尤其是在需要高效能转换和高可靠性工作的场合，如 LED 照明驱动和电池充电管理等应用中表现尤为突出。
IRF840A
FDP15N65S
STP7NC65
IXTP16N65L
