时间：2025/5/31 0:54:40
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CESD323UC3V3B 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能 ESD 防护器件，主要用于保护高速数据线和信号线免受静电放电（ESD）的损害。该器件具有极低的电容特性，确保对高速信号的影响最小化，同时提供强大的 ESD 防护能力。
该元器件采用超小型封装设计，适合在空间受限的应用中使用。其典型应用场景包括 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort 等高速接口的保护。
工作电压：3.3V
峰值脉冲电流：8A
钳位电压：6V
结电容：0.4pF
响应时间：<1ns
封装形式：UCSP-3
工作温度范围：-40℃至+85℃
CESD323UC3V3B 的主要特性包括：
1. 极低的结电容（0.4pF），使其非常适合用于高速数据线的保护，不会显著影响信号完整性。
2. 快速响应时间（<1ns），能够及时抑制瞬态电压尖峰，保护后级电路。
3. 高度可靠的 ESD 防护能力，符合 IEC 61000-4-2 标准，可承受高达±15kV 的接触放电和±15kV 的空气放电。
4. 小型化设计，采用 UCSP-3 封装，节省 PCB 布局空间。
5. 工作电压为 3.3V，适配常见的低压应用环境。
6. 具有良好的热稳定性和长期可靠性，能够在工业级温度范围内正常工作（-40℃ 至 +85℃）。
CESD323UC3V3B 广泛应用于需要高可靠性和高速信号保护的场景，例如：
1. 消费类电子产品中的高速接口保护，如 USB 3.0/3.1、HDMI 和 DisplayPort。
2. 移动设备（智能手机、平板电脑等）的数据传输线路防护。
3. 工业控制设备中的信号线保护，防止因静电引起的系统故障。
4. 网络通信设备中的以太网端口和射频接口防护。
5. 汽车电子系统中的 CAN 总线、LIN 总线和其他高速总线的 ESD 保护。
PESD3V3S1BL, CDSOD323B3V3G
