时间：2025/6/6 11:50:58
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CESD323NC3VU-M 是一款基于硅技术的 TVS (瞬态电压抑制器) 芯片，广泛应用于电路中的静电放电 (ESD) 和浪涌保护。该器件能够有效地将瞬态过电压箝位到安全水平，从而保护敏感电子设备免受损坏。它具有低电容、快速响应时间和高浪涌电流能力的特点，适用于高速数据线和信号线的保护。
该器件采用 SOD-323 封装形式，体积小巧，适合在空间受限的设计中使用。
工作电压：3.3V
峰值脉冲电流：97A
箝位电压：15.8V
最大反向工作电压：3.3V
击穿电压：4.6V
动态电阻：0.3Ω
结电容：10pF
响应时间：1ps
封装形式：SOD-323
CESD323NC3VU-M 的主要特性包括：
1. 快速响应时间，能够及时抑制瞬态过电压。
2. 低结电容（10pF），非常适合高速数据线路的保护。
3. 高浪涌电流承受能力（97A），可有效应对强浪涌冲击。
4. 稳定的电气性能，在各种环境条件下表现出色。
5. 小型化设计，采用 SOD-323 封装，便于在紧凑型电路板上布局。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料制造。
7. 可靠性高，使用寿命长，适合长期运行的工业和消费类应用。
该芯片适用于以下领域：
1. 高速数据接口保护，如 USB、HDMI、以太网等。
2. 移动设备中的 ESD 和浪涌保护，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
3. 工业控制系统的信号线路保护。
4. 汽车电子系统中的瞬态电压抑制。
5. 通信设备中的射频信号保护。
6. 家用电器和消费类电子产品中的电路保护。
PESD3V3X1BSF, SMF33A, CDSOD3-3V3
