时间：2025/6/29 6:25:16
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CESD323NC3V3B 是一款基于硅工艺的静电放电 (ESD) 保护二极管阵列，专为高速数据线提供瞬态电压抑制保护而设计。该器件具有超低电容特性，非常适合用于高速信号线（如 USB、HDMI 和其他高速接口）的保护，能够有效防止因静电放电导致的电路损坏或性能下降。
该型号采用了紧凑型封装，易于集成到现代电子设备中，并且符合工业标准对 ESD 保护的要求。
工作电压：3.3V
峰值脉冲电流：±15A
箝位电压：6.8V
响应时间：≤1ps
结电容：0.4pF
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：SOT-323
CESD323NC3V3B 提供了卓越的 ESD 保护能力，同时保持了非常低的电容值，确保不会对高速信号完整性造成干扰。
其快速响应时间可以迅速抑制瞬态电压，从而有效保护下游敏感电路。
此外，该器件还具备以下特点：
1. 符合 IEC 61000-4-2 标准的四级 ESD 防护要求（接触放电 ±15kV，空气放电 ±15kV）。
2. 超低动态电阻 (<1Ω)，确保高效的过压保护。
3. 紧凑的 SOT-323 封装使其适合应用于空间受限的设计。
4. 可靠性高，适用于消费类电子产品、通信设备及工业控制应用中的高速接口保护。
CESD323NC3V3B 广泛应用于需要高速数据传输和严格信号完整性的场景，典型应用包括：
1. USB 2.0/3.0 接口保护。
2. HDMI 和 DisplayPort 接口保护。
3. 高速以太网端口保护。
4. 移动设备中的射频前端保护。
5. 工业总线和通信线路保护。
由于其低电容特性和快速响应速度，该器件特别适合用于对时延和信号失真要求较高的场合。
CESD323NC5V0B, PESD3V3S1BL, SMF323A
