CESD323LC5VB-S 是一款基于硅技术的高效能 ESD(静电放电)保护二极管阵列,专为高速信号线和敏感电子设备提供瞬态电压抑制保护而设计。该器件采用紧凑型封装形式,能够满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。
该产品主要应用于 USB、HDMI、以太网等高速数据接口的静电防护场景。其低电容特性确保了在高频应用中不会对信号完整性造成显著影响,同时具备快速响应时间和高浪涌承受能力。
工作电压:±3.3V
峰值脉冲电流:8A(8/20μs波形)
动态电阻:≤1Ω
电容:0.5pF
响应时间:≤1ns
封装类型:LC5
工作温度范围:-40℃至+85℃
CESD323LC5VB-S 具备以下关键特性:
1. 极低的负载电容(0.5pF),非常适合高速数据线路的保护。
2. 高速响应时间(≤1ns),可迅速抑制瞬态电压威胁。
3. 良好的钳位性能,确保被保护电路免受过压损害。
4. 紧凑的封装尺寸,适合空间受限的设计。
5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
6. 可承受多次雷击浪涌和 ESD 冲击,可靠性高。
7. 工作电压范围适配常见的 3.3V 系统环境。
CESD323LC5VB-S 广泛应用于以下领域:
1. 高速数据接口保护,如 USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort 和以太网。
2. 移动设备中的射频前端保护,例如智能手机、平板电脑。
3. 工业控制设备中的信号链保护。
4. 汽车电子系统中的数据总线保护,如 CAN 总线和 LIN 总线。
5. 医疗设备中的敏感信号路径防护。
PESD3V3S1BL, SM712, CDSOD323LC5VB-S