时间：2025/5/7 15:38:20
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VND5025BKTR-E 是一款 N 沯道垂直 DMOS 场效应晶体管（MOSFET），采用小尺寸封装设计，适用于各种功率转换和开关应用。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。其封装形式为 SOT-23，非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：2.5A
导通电阻：170mΩ
栅极阈值电压：2.5V
总功耗：440mW
工作温度范围：-55℃至 150℃
VND5025BKTR-E 具有以下显著特性：
1. 超低导通电阻，有助于减少传导损耗，提高能效。
2. 小型 SOT-23 封装，适合高密度电路板布局。
3. 高电流承载能力，支持大负载应用。
4. 快速开关速度，降低了开关损耗。
5. 提供出色的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
6. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的鲁棒性。
VND5025BKTR-E 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 便携式电子设备的负载开关。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 电池保护和管理模块。
5. 过流保护和短路保护电路。
6. 各类消费电子产品中的信号切换和功率调节。
VND5025BKMTR-E, VNQ0215ATMA, FDC6570N
