SS855是一款高性能、低功耗的双极型晶体管(BJT),通常用于高频率放大和开关应用。它属于NPN型晶体管,具有良好的增益带宽积和快速响应能力,适用于模拟和数字电路中的信号放大及驱动控制。
类型:NPN型晶体管
最大集电极电流(Ic):100mA
最大集射电压(Vceo):30V
最大基极电流(Ib):5mA
最大功耗(Ptot):300mW
电流增益(hFE):110-800(取决于工作条件)
过渡频率(fT):100MHz
工作温度范围:-55°C至+150°C
SS855晶体管以其高频性能和良好的线性度著称,适合用在需要高速操作的应用中,如音频放大器、RF信号放大器以及数字开关电路。该器件采用小型化封装设计,有助于节省PCB空间,并且具备优良的热稳定性和可靠性。
其主要特性包括高电流增益(hFE)以及出色的频率响应能力,能够在高频条件下保持稳定的性能。此外,SS855具有较低的饱和压降,可以有效降低功耗并提高效率。这种晶体管还表现出良好的抗噪声性能,使其在敏感信号放大应用中表现优异。
SS855的引脚排列符合标准配置,便于替换和安装,同时支持多种常见封装形式(如SOT-23或TO-92),以满足不同应用场景的需求。
SS855广泛应用于各种电子设备中,包括音频功率放大器、RF信号放大模块、电源管理电路、传感器接口电路以及工业自动化控制系统中的开关元件。由于其高频特性和高稳定性,该晶体管常被选用在无线通信设备、消费类电子产品和汽车电子系统中。
BC547, 2N3904, PN2222