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CESD12VD5 8K/R 发布时间 时间:2025/8/16 23:01:58 查看 阅读:11

CESD12VD5 8K/R 是一款由CENTRAL SEMICONDUCTOR生产的表面贴装硅肖特基二极管阵列,主要用于静电放电(ESD)保护。该器件包含多个肖特基二极管,能够在高速数据线、电源线等应用中提供低电容和快速响应的ESD保护。其封装形式为SOT-23,适用于紧凑型电路设计。

参数

类型:肖特基二极管阵列
  配置:双路双向保护
  工作电压:12V(最大)
  反向击穿电压:12.8V(最小)
  钳位电压:19V @ 1A
  电容(C):最大0.5pF(典型值)
  峰值电流:1A(每通道)
  封装形式:SOT-23
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

CESD12VD5 8K/R 专为高速数据线和低电压应用设计,具备极低的结电容(通常为0.5pF),使其适用于USB、HDMI、以太网和DisplayPort等高频信号线路的ESD保护。该器件的响应时间极短,能够快速钳制瞬态电压,保护下游电路免受静电放电和瞬态电压的影响。此外,该二极管阵列采用双路双向配置,每个通道均可独立工作,适用于多种信号线路的保护需求。其SOT-23封装形式节省空间,适合高密度PCB布局,并支持自动贴片工艺。器件的低正向压降(通常为0.3V)确保了在正常工作状态下的低功耗和高效率。

应用

CESD12VD5 8K/R 主要用于需要ESD保护的高速信号线路,如消费类电子产品中的USB 2.0和3.0接口、HDMI接口、以太网端口、SD卡插槽、显示屏数据线等。此外,它也适用于便携式设备、工业控制系统、通信模块以及汽车电子系统中的信号线保护。

替代型号

SMBJ5.0A, ESD122B, NUP2105L, ESDA6V1W5B

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