时间：2025/6/13 12:03:56
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CESD1006HC5VU 是一款基于硅雪崩效应设计的高效ESD（静电放电）保护二极管阵列。它专门用于高速数据线和信号线的瞬态电压抑制保护，能够有效防止因静电放电、雷击或其他瞬态干扰引起的电路损坏。
该器件具有极低的电容特性，适合于高速接口的保护，例如 USB、HDMI、以太网等。其封装小巧，非常适合空间受限的应用场景。
工作电压：5V
最大箝位电压：12V
电容：0.4pF
响应时间：1ps
峰值脉冲电流：3A
结电容：0.7pF
漏电流：1nA
工作温度范围：-40℃ 至 +85℃
1. 极低的电容值确保对高速信号的影响最小化。
2. 快速响应时间可迅速抑制瞬态电压，保护后级电路。
3. 小型SOD-323封装，节省PCB空间。
4. 符合RoHS标准，环保无铅。
5. 能够承受高达±8kV的接触放电和±15kV的空气放电。
6. 可靠性高，使用寿命长。
1. 高速数据接口保护，如USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort。
2. 移动设备中的射频线路保护。
3. 工业控制系统的通信端口防护。
4. 汽车电子系统中的信号线保护。
5. 网络设备中的以太网端口保护。
6. 医疗设备中敏感信号的防护。
PESD1006B, SM712, CDSOT23-SMxVB
