容量：512MB
　　电压：2.7V - 3.6V
　　接口类型：8位并行 NAND 接口
　　封装类型：TSOP
　　工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　擦写周期：10万次
　　数据保持时间：10年

HY27US08561A-TPCB 是一款基于NAND闪存技术的非易失性存储器芯片，具有以下主要特性：
　　1. 高容量：该芯片提供512MB的存储空间，适用于中等规模的嵌入式系统存储需求，能够支持操作系统、固件和用户数据的存储。
　　2. 低功耗设计：工作电压范围为2.7V至3.6V，适用于电池供电设备，具有较低的功耗表现，有助于延长设备续航时间。
　　3. 并行接口：采用标准的8位NAND接口，支持与主控芯片的高速数据传输，适用于需要快速读写操作的应用场景。
　　4. 高可靠性：支持高达10万次的擦写周期，确保在频繁读写操作下的长期稳定性；数据保持时间可达10年以上，适合长期数据存储应用。
　　5. 工业级温度范围：工作温度范围为-40°C至+85°C，适应各种严苛环境条件，适用于工业控制、车载系统和户外设备。
　　6. 封装形式：采用TSOP（薄型小外形封装）封装，便于PCB布局和焊接，适合SMT（表面贴装技术）工艺。

HY27US08561A-TPCB 主要用于需要嵌入式非易失性存储的各类电子设备中。典型应用包括数码相机、便携式音频播放器、PDA（个人数字助理）、工业控制系统、车载信息娱乐系统、GPS导航设备以及嵌入式数据记录仪等。由于其具备高可靠性、低功耗和较大的存储容量，它也适用于需要长期数据保存和频繁写入操作的工业级应用。此外，该芯片还可作为微控制器系统的外部存储器，用于扩展主控芯片的程序和数据存储空间。

K9F5608U0D-PCB0, NAND512W3A2B4E6