时间：2025/8/9 7:34:18
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2SK960-MR 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛应用于各种电源管理和功率放大电路中。该MOSFET具有高耐压、低导通电阻以及优异的热稳定性，适用于需要高效能和稳定性的电源系统。其封装形式为SOT-223，适合表面贴装技术（SMT）生产。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：100mA
最大漏源电压（VDS）：450V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(ON)）：约15Ω（典型值）
功率耗散（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
2SK960-MR MOSFET具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现突出。首先，其漏源电压高达450V，适用于高压电路应用，如开关电源、DC-DC转换器和功率放大器等。其次，该器件的导通电阻较低，约为15Ω，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
此外，2SK960-MR的栅源电压范围为±30V，具有较强的抗过压能力，确保了在复杂电路环境中工作的稳定性。其SOT-223封装形式不仅体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，而且具备良好的散热性能，有助于提升器件在高负载条件下的可靠性。
该MOSFET的热阻较低，可有效将热量从芯片传导至外部环境，避免因过热导致的性能下降或损坏。同时，其工作温度范围宽，可在-55°C至+150°C之间正常工作，适应各种严苛的环境条件。
2SK960-MR MOSFET因其优异的电气性能和紧凑的封装形式，被广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、电池充电器以及DC-DC转换器等电路中，提供高效的功率转换。此外，该器件也适用于功率放大器和信号处理电路，用于音频放大器、射频（RF）功率模块等应用。
在工业控制领域，2SK960-MR可用于电机驱动、继电器控制和自动控制系统中的功率开关。在消费类电子产品中，如电视、音响设备、LED照明驱动电路中，该MOSFET也具有广泛的应用价值。其SOT-223封装形式适合表面贴装工艺，便于自动化生产和维修，因此在大批量制造中具有显著优势。
2SK2313, 2SK170, 2SK30ATM
