2SK960-MR 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管,广泛应用于各种电源管理和功率放大电路中。该MOSFET具有高耐压、低导通电阻以及优异的热稳定性,适用于需要高效能和稳定性的电源系统。其封装形式为SOT-223,适合表面贴装技术(SMT)生产。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):100mA
最大漏源电压(VDS):450V
最大栅源电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(ON)):约15Ω(典型值)
功率耗散(PD):300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
2SK960-MR MOSFET具备多项优良特性,使其在功率电子应用中表现突出。首先,其漏源电压高达450V,适用于高压电路应用,如开关电源、DC-DC转换器和功率放大器等。其次,该器件的导通电阻较低,约为15Ω,这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。
此外,2SK960-MR的栅源电压范围为±30V,具有较强的抗过压能力,确保了在复杂电路环境中工作的稳定性。其SOT-223封装形式不仅体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用,而且具备良好的散热性能,有助于提升器件在高负载条件下的可靠性。
该MOSFET的热阻较低,可有效将热量从芯片传导至外部环境,避免因过热导致的性能下降或损坏。同时,其工作温度范围宽,可在-55°C至+150°C之间正常工作,适应各种严苛的环境条件。
2SK960-MR MOSFET因其优异的电气性能和紧凑的封装形式,被广泛应用于多个领域。在电源管理方面,它常用于开关电源(SMPS)、AC-DC适配器、电池充电器以及DC-DC转换器等电路中,提供高效的功率转换。此外,该器件也适用于功率放大器和信号处理电路,用于音频放大器、射频(RF)功率模块等应用。
在工业控制领域,2SK960-MR可用于电机驱动、继电器控制和自动控制系统中的功率开关。在消费类电子产品中,如电视、音响设备、LED照明驱动电路中,该MOSFET也具有广泛的应用价值。其SOT-223封装形式适合表面贴装工艺,便于自动化生产和维修,因此在大批量制造中具有显著优势。
2SK2313, 2SK170, 2SK30ATM