时间：2025/5/19 17:11:52
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FNB51560TD1是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，采用TO-263-3封装形式。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其额定电压为60V，能够承受较高的电流负载，并在高温环境下保持稳定的性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：45A
导通电阻（Rds(on)）：2.8mΩ（典型值，25°C）
栅极电荷：79nC
输入电容：3350pF
总耗散功率：150W
工作结温范围：-55°C至+175°C
FNB51560TD1具备低导通电阻，可有效降低传导损耗，提升系统效率。
其高电流处理能力使其非常适合用于大功率应用。
快速开关特性和低栅极电荷有助于减少开关损耗，提高高频运行时的效率。
该器件还具有出色的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下持续运行。
此外，它具有较低的反向恢复电荷（Qrr），这进一步增强了其在硬开关应用中的表现。
FNB51560TD1广泛应用于DC-DC转换器、同步整流电路、开关电源（SMPS）、电动工具、工业电机驱动和汽车电子系统中。由于其优异的性能和耐用性，它也适合于需要高效率和高可靠性的场合，如太阳能逆变器和电动车充电设备。
FDP5150, IRF540N, FQN20N60C
