时间：2025/7/18 12:25:07
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CES2305 是一款常见的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和开关应用中。该器件采用先进的沟槽技术，提供了低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于高效率电源转换器和负载开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：110A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
CES2305 MOSFET采用先进的沟槽式工艺，具有较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统的整体效率。该器件的漏极电流能力高达110A，适用于高电流负载的应用环境。
此外，CES2305具有良好的热稳定性，在高温环境下依然能够保持稳定的性能表现，适合在电源管理、DC-DC转换器、同步整流器以及电池管理系统中使用。其TO-252（DPAK）封装形式便于焊接和安装，同时具备较好的散热性能。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持+10V至+20V之间的驱动电压，适用于多种驱动电路设计。低栅极电荷（Qg）特性使得该器件在高频开关应用中表现出色，能够有效降低开关损耗。
CES2305 主要应用于电源管理系统、同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及高电流负载控制电路中。由于其高电流能力和低导通电阻，它在高效率电源转换和功率控制领域具有广泛的应用前景。
Si4410BDY, IRF1404, FDP3632, AUIRF1404S
