CEP16N10 时间：2025/7/10 4:44:33 阅读：8

CEP16N10是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用中。这款MOSFET以其低导通电阻和高效率而闻名，适用于需要高效功率转换的场景。
　　该器件采用TO-252封装形式，适合表面贴装工艺，能够提供良好的散热性能和电气特性。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：16A
　　栅极-源极电压：±20V
　　导通电阻：7.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷：49nC
　　开关速度：快速
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

CEP16N10具有以下关键特性：
　　1. 非常低的导通电阻Rds(on)，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
　　2. 快速开关速度，适合高频操作环境。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
　　4. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
　　5. 紧凑的封装设计，节省PCB空间，简化布局和布线。
　　6. 良好的热稳定性，即使在极端温度条件下也能保持稳定的性能表现。

应用

CEP16N10广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
　　1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
　　2. DC-DC转换器中的功率开关，实现高效的电压转换。
　　3. 电机驱动电路中的功率级元件，用于控制电机的速度和方向。
　　4. 各类负载开关和保护电路，确保系统的安全运行。
　　5. 太阳能逆变器和电池管理系统中的功率管理单元。
　　6. 工业自动化设备中的功率控制模块。