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2N4117A 发布时间 时间:2025/7/24 19:57:00 查看 阅读:6

2N4117A是一款NPN型晶体管,广泛用于射频(RF)和高频放大应用。这款晶体管设计用于在高频条件下提供优异的性能,适合在通信设备、射频模块和高频信号处理中使用。它具有较高的增益带宽积和良好的线性度,能够支持多种射频应用的需求。

参数

类型:NPN晶体管
  集电极-发射极电压(Vce):30V
  集电极-基极电压(Vcb):30V
  发射极-基极电压(Veb):5V
  集电极电流(Ic):100mA
  功耗(Pd):300mW
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-92

特性

2N4117A晶体管具有优异的高频性能,适用于射频放大和开关应用。其NPN结构提供了较高的电流增益,能够在高频条件下保持稳定的工作性能。该晶体管的增益带宽积较高,支持在射频应用中的信号放大需求。
  此外,2N4117A具备良好的线性度和低噪声特性,使其适用于需要高信号完整性的射频模块和通信设备。其TO-92封装形式便于安装和散热,能够在各种环境条件下可靠工作。该晶体管的电气特性在宽温度范围内保持稳定,适合用于工业级和商业级电子设备。

应用

2N4117A主要用于射频信号放大、高频开关和射频模块设计。它在通信设备中用于射频信号的放大和处理,也适用于无线局域网(WLAN)、蓝牙模块和射频识别(RFID)系统。此外,该晶体管还可用于射频测试设备、信号发生器和高频振荡器电路中。
  由于其优异的高频特性和可靠性,2N4117A也常用于消费类电子产品和工业设备中的射频信号处理模块。它在高频开关电路中表现出色,能够满足对信号快速切换和高稳定性的需求。

替代型号

2N4125, 2N3904

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2N4117A参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类JFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss)30 uA
  • 闸/源击穿电压- 40 V
  • 配置Single
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-72
  • 封装Bulk
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值)0.00007 S
  • 闸/源截止电压- 1.8 V
  • 功率耗散300 mW
  • 工厂包装数量200