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ME2110A30PG 发布时间 时间:2025/3/27 14:27:27 查看 阅读:5

ME2110A30PG是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率电子领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适合用于直流-直流转换器、负载开关、电源管理以及电机驱动等应用。其采用PG-TO252-3封装形式,能够有效提升散热性能。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:14A
  导通电阻:1.6mΩ
  栅极电荷:37nC
  总电容:800pF
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装类型:PG-TO252-3

特性

ME2110A30PG具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))在大电流条件下显著降低功耗。
  2. 高速开关能力使其适用于高频开关应用。
  3. 小型化封装设计,可节省电路板空间。
  4. 良好的热性能有助于提高系统的稳定性和可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅工艺。
  6. 在高温环境下仍能保持出色的电气性能。

应用

该芯片的主要应用场景包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 直流-直流转换器中的主开关元件。
  3. 电池管理系统中的负载开关。
  4. 消费类电子产品中的电源管理模块。
  5. 工业设备中的电机控制与保护电路。
  6. 可再生能源系统中的逆变器及控制器部分。

替代型号

ME2110A30TG, FDP5510, IRFZ44N

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